技术编号:33552711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体晶片制备技术领域,特别是涉及一种适用于立式成膜设备的发热装置。背景技术.立式成膜设备进行半导体晶片制备,反应室内升至反应温度原料气体从上向下流动与晶片表面接触进行外延反应。气体流道外侧增加热场用于气体预热可有效提高成膜质量。采用电阻式热场可自主调节各部分发热体的功率,有利于工艺优化。.电阻式发热体采用金属电极与外部电源连接,传统一体式电极制作成折弯结构安装难度较高且加工复杂,采用一体式电极结构时,当需要对反应室内部进行维护清理时,还需要将一体式电极全部拆卸拿下才能够对...
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