技术编号:3357795
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及硅半导体工艺领域,特别涉及一种沉积炉管,用于通过SiH2Cl2气 体和NH3气体反应在多批次晶圆上沉积作为栅多晶硅的防反射层的SiN薄膜。背景技术在双极型互补金属氧化物半导体(Bipolar Complementary Metal OxideSemiconductor,简称Bi-cmos)工艺中,需要在晶圆上沉积SiN薄膜作为栅多晶硅 的防反射层(GP0LY-ARC)。而沉积SiN薄膜有多种方法,其中较为常见的一种方法是利用 SiH2Cl2 ...
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