技术编号：3357927
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体薄膜沉积，特别是涉及一种用于碲镉汞器件增透膜层生长的装置。背景技术碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器是光电二极管二维阵列，是红外探测器重要 发展方向之一。一般的碲镉汞红外焦平面阵列结构包括如下部份(1)用以生长碲镉汞敏 感层的CdTeZn衬底；(2)在CdTeZn衬底背面上淀积抗反射层，用以提高红外辐射的透射 率以提高探测器的量子效率；(3)通过液相外延方法生长在衬底上的碲镉汞红外辐射敏感 层；(4)从碲镉汞阵列中读取探测信号的硅读...
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