技术编号：3358285
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种薄膜制备装置，特别是一种电子束蒸发设备中的具有分子束外延功能的超高真空电子束蒸发源装置。背景技术薄膜技术在工业上得到广泛的应用，特别在电子材料、磁性材料与元器件工业领域中占有极为重要的地位。因此，制备各种性能薄膜的方法最近几十年中也得到飞跃发展。到现在为之，薄膜的制备方法已发展有物理气相沉积(Physical V即or D印osition，PVD)，包括真空蒸发镀膜法、溅射镀膜法、离子镀膜法和分子束外延生长等；化学气相沉积(Chemica...
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