技术编号:3359842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。本申请以2008年1月15日于日本申请的特愿2008-005993号和2008年2月7 日于日本申请的特愿2008-027719号为基础申请,在此引用它们的内容。背景技术一直以来,溅射装置被广泛用作成膜处理装置,适于形成构成隧道磁阻(TMR, Tunneling Magnetic Resistive)元件等半导体器件的被膜,其中,TMR构成磁性随机存储 器(MRAM, Magnetic Random Access Memory)。作为这种溅射装...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。