技术编号:33602378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及碳化硅晶体生长领域,尤其是涉及一种碳化硅晶体生长用筛分装置。背景技术.物理气相传输法(pvt)作为制备导电型碳化硅晶体最常用的方法之一,主要是通过对坩埚进行加热,当其温度达到℃以上时,坩埚内的碳化硅粉末受热升华,向上移动,并在坩埚内温度梯度的作用下于坩埚盖的碳化硅籽晶上结晶、生长,从而成功地长出碳化硅晶体。考虑到晶体生长过程中,坩埚内部气氛不同,前期富硅,后期富碳,这两种状态易产生硅滴、碳包裹等杂质,导致晶体缺陷。为了减少上述情况的发生,通常会在坩埚内碳化硅粉料的上方...
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