技术编号:3360309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于在待处理的衬底的表面成膜的;本发明 特别涉及一种DC磁控方式的。背景技术这种DC磁控方式的溅射装置,例如在半导体设备的制作中的成膜工序中使用。随 着近年来配线图案的细微化,对于这种用途的溅射装置强烈要求提高覆盖度,即要求针对 具有大纵横比(aspect ratio)的细微空穴(via holes),能够在待处理衬底的整个表面上 覆盖性良好地成膜。一般而言,对于上述溅射装置,在例如靶的后方(背向溅射面的一侧),配置有包 括以交替改变极性的方...
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