技术编号:3360525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对成为金属的被精制材料(由金属形成的母材)照射电子束进行凝 固精制的,特别是涉及对适合用作太阳能电池材料的铁0 )、铝(Al)或钙 (Ca)的含量少的高纯度硅(Si)进行凝固精制的。本申请基于2008年08月01日在日本申请的日本特愿2008-199846号主张优先 权,在此引用其内容。背景技术作为硅等金属或半导体的凝固精制法之一,已知使用电子束熔解法的凝固精制 法。该方法例如如非专利文献1所述,连续地在水冷铜炉床上从被精制材料蒸发冶炼磷(P) ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。