技术编号：3360593
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及具有多孔抛光单元的抛光垫，以及在抛光过程中，例如在化学机械抛 光过程中制造和使用该抛光垫的方法。背景技术在半导体装置和集成电路的制造期间，通过一系列的沉积和蚀刻步骤对硅片进行 反复地处理以形成叠加材料层和装置结构。总所周知的化学机械抛光(CMP)的抛光技巧可 用来移除在沉积和蚀刻步骤后保留的表面不平整(比如凸起、不等高度的区域、槽以及沟， 目的是得到不具有划痕或沉陷(称为凹陷)的平滑晶圆表面，并在整个晶圆表面具有高的 均勻性。在典型的CMP抛光过...
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