技术编号:3360828
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及半导体制造中的化学机械抛光(CMP)。更具体地,本发明涉及对铜-氧化物大马士革结构的CMP,以提高材料的去除速率,并减小铜的凹陷(dishing)和氧化物的过抛(overpolishing)。背景技术 半导体装置的甚大规模集成(ULSI)方面的不断进展,要求设计和制造非常微小的装置。现有技术中用于互连(interconnect)的金属化图案技术不足以应对新型的集成电路(IC)。据计算,对于门电路尺寸小于0.25μm的CMOS电路,由金属化层...
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