技术编号：3361522
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，特别涉及化学气相沉积装置及其喷头。 背景技术在半导体制造领域中，经常需要利用化学气相沉积(CVD，Chemical VaporDeposition)的方法形成膜层，例如氧化硅层、氮化硅层等等介质层。CVD通常是在反 应腔室内进行，首先将包括器件层的晶片放置于反应腔内的基座上，然后通入反应气体，反 应气体被解离成原子、离子，或原子团，吸附在晶片表面，当反应气体分子相遇时，化学沉积 反应便得以进行，然后经由晶粒生长、晶粒聚结，缝道填补...
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