技术编号：3361790
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种外延片制备方法，尤其涉及一种在P型衬底上制备N型外延层的 反型外延片的制备方法。背景技术反型外延片是指在P型衬底上制备N型外延层的外延片。目前，生产中采用的制备 工艺为当炉温达到800 95(TC用机械手将硅片放置在炉内，通以氢气，氢气流量一直保 持在20 80L/min的范围内，然后升温至1140 1150°C，烘烤后通以氯化氢，进行气相抛 光；关闭氯化氢，通以三氯氢硅生产本征阻挡层；关闭三氯氢硅，用氢气去除净炉内的杂质 气体后再次通入三氯...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。