技术编号:3362071
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种阴极真空电弧源薄膜沉积装置及利用该装置沉积薄膜的方法。背景技术阴极真空电弧沉积法是将真空电弧蒸发源产生的等离子体,借助负偏置电压等吸 引至基体,并在基体表面上形成薄膜的一种方法。其中,阴极真空电弧蒸发源通过真空电弧 放电蒸发阴极靶,由此产生含有阴极靶材料的等离子体。阴极真空电弧沉积法具有离化率 高、离子能量高、沉积温度低、沉积速率高、膜基结合好等一系列优点,因此,不仅是目前沉 积传统TiN、CrN、TiAlN等硬质薄膜的主要方法,也是沉积ta...
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