技术编号:3362125
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的新型管状阴极源,在管状阴极内,只需将磁控溅射用的磁场系统从 正向转180°到反向,使在一体化的装置内,又可实现多弧蒸发,这两种镀膜方式,都是典型 的物理气相沉积PVD镀膜方法,所以本发明独创性的组合这两种镀膜方式,完全属于真空 等离子体镀膜。背景技术Δ在物理气相沉积领域中,一些新的先进镀膜工艺,如ABS(Arc BondSputtering 电弧结合溅射)工艺就需要在一个真空室内兼容使用电弧和磁控溅射,而过去传统的技术 方案是采用平面溅射靶和矩...
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