技术编号：3362170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具抗氧化纳米薄膜的散热单元及其抗氧化纳米薄膜沉积方法，尤其涉及一种表面沉积有抗氧化纳米薄膜的散热单元及沉积该抗氧化纳米薄膜的方法。背景技术现行电子设备于运行时内部的电子元件将产生热源，所述热源是由运算芯片运作时所产生，并随着芯片运算效能提高，其功率已近一百瓦特，故若无适当的散热机制，则芯片的温度则会超过100°c以上。现行芯片多为半导体(如硅)所制成，因其内部含有大量的金属导线及绝缘薄膜， 这两种材料间的膨胀系数相差数倍，故在90°C以上的温...
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