技术编号:33624000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。热电优化设计的沟槽mos型氧化镓功率二极管及制作方法技术领域.本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种热电优化设计的沟槽mos型氧化镓功率二极管及制作方法。背景技术.近年来,β-gao已成为下一代电力电子器件的主要候选材料。gao的超宽带隙(.~.ev)可转化为大的临界电场(mv/cm),比宽带隙材料氮化镓(gan)和碳化硅(sic)高倍以上。与其他超宽带隙半导体(氮化铝、金刚石等)和宽带隙半导体材料相比,gao材料的另一个优点是,目前市场上已可以提供高质量的熔融生长衬...
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