技术编号:33625081
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及包括在有源区域中的器件的半导体管芯。背景技术.器件可以例如包括在沟道区旁边、用以控制电流流动的栅极区。此外,它包括在蚀刻到半导体本体中的场电极沟槽中的场电极区,其例如可以增加击穿电压。发明内容.本申请的目的是提供一种具有改进的特性的半导体管芯。.该目的通过权利要求的半导体管芯来实现,该半导体管芯具有堆叠在场电极沟槽中的至少两个场电极。此外,管芯包括具有至少两个屏蔽电极的边缘终止结构,所述至少两个屏蔽电极横向连续地布置在器件和管芯的横向边缘区之间,并且被配置为逐步降低边缘区和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。