技术编号：3362782
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种工业加工用电热炉，尤其涉及一种用于金属有机物化学气相沉积 制备半导体芯片或其它集成电路的基片加热炉。背景技术MOCVD是金属有机化合物化学气相淀积(Metal-organic Chemieal VaporDePosition)的英文缩写。MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种 新型气相外延生长技术。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作 为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长...
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