技术编号:3362915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学气相沉积设备,尤其涉及一种用于化学气相沉积反应器的进气装置。背景技术化学气相淀积(Chemical Vapor D印osition,简称CVD)是上世纪中期发展起来的 一种薄膜淀积的方法,是通过气体混合后在一定的条件下发生化学反应,并在基片表面淀 积一层薄膜的工艺。在现在广泛用于微电子、光电子以及硬质镀膜等领域中。用化学气相淀积方法淀积薄膜材料,通常需要各种原材料和载入气体,原材料包 括参与化学反应并形成薄膜产物的原料成分;载气包括各种携...
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