技术编号：3363810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种从涂覆衬底的至少一部分中除去物质的方法，尤其涉及用于从衬底例如半导体材料本身上除去物质的方法。背景技术 在半导体集成电路(IC)、光电器件、微电子机械系统(MEMS)和其他电子器件的制造中，进行薄膜淀积的多个步骤，以在例如半导体材料的衬底上构成若干完整的电路(芯片)和器件。经常用各种薄膜淀积每个衬底，其中的薄膜例如但不限于，导电膜，如钨半导体膜，如掺杂和不掺杂的多晶硅(多-Si)，掺杂和不掺杂的(本征)非晶硅(a-Si)等；介电膜，如二氧化硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。