技术编号:3363919
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的金属铝铜流电腐蚀保护液及其在半导体领域的应用。 背景技术在半导体元器件制造过程中,光阻层的涂敷、曝光和成像对元器件的图案制造来说是必要的工艺步骤。在图案化的最后(即在光阻层的涂敷、成像、离子植入和蚀刻之后) 进行下一工艺步骤之前,光阻层材料的残留物需彻底除去。在半导体制造工业中一般使用两步法去除这层光阻层膜。第一步利用干法灰化除去光阻层(PR)的大部分;第二步利用清洗液清洗工艺除去剩余的光阻层。其中清洗的步骤一般为清洗液清洗、漂洗和干燥...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。