技术编号：3364264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总的涉及半导体集成电路技术，更具体涉及电处理或电化学设备和处理方法，例如，包括电镀的材料淀积方法和材料去除方法，例如，可以用于工件表面的抛光方法。背景技术 诸如集成电路(IC)的常规的半导体器件通常包括半导体衬底，常用的硅衬底，和几层顺序形成的用绝缘材料层隔开的导电材料层。导电材料层，或互连形成IC的布线结构。布线结构经绝缘材料层或层间介质层与邻近的布线结构隔开。尽管当前有用低介电常数介质材料代替IC结构中的至少一部分标准的致密二氧化硅材料的趋势，但...
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