技术编号:3364288
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术的领域,特别涉及一种。背景技术随着半导体器件日益减小,由于多层互连或填充深度比较大的沉积过程带来晶片表面过大的起伏,引起光刻工艺聚焦困难,对线宽控制能力减弱,从而降低整个晶片上的线宽的一致性。由此,业界引入用于平坦化晶片的化学机械研磨技术,该化学机械研磨(CMP, Chemical Mechanical Planarization)技术以其全局平坦化优势快速发展,广泛应用于深槽填充的平面化、接触孔和过孔中的金属接头的平面化以及中间步...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。