技术编号:3364419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于,特别涉及一种采用多 次氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法。背景技术SOI (Silicon on Insulator,绝缘体上的硅)是为了满足航空航天、导弹和卫星电 子系统等空间及军事电子领域的需求而发展起来的一种技术。SOI技术作为一种全介质隔 离技术,具有诸多体硅技术不可比拟的优越性,包括速度快、功耗低、短沟道效应小、集成 度高、抗干扰和抗辐射能力强等,正逐渐成为制作高速、低功耗、高集成度和高可靠性超大 规模集成电路的主流技术,同时还在高...
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