技术编号:3364514
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种确保高热导率的。 背景技术过去,提出了半导体器件从半导体芯片两表面辐射掉其热量。例如,日本未审专利公开号2001-308237公开通过向半导体芯片两表面粘合一对 热传导部件并用陶瓷涂层覆盖它们以提高半导体芯片两表面的冷却效果。这种陶瓷涂层包 括覆盖热传导部件的外部热辐射表面的热喷涂涂层。根据这种半导体插件模块,可通过陶 瓷涂层冷却该对热传导部件,因此认为可获得能够承载比以前更大的电流的半导体器件。日本未审专利公开号8-003718公开了如下通...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。