技术编号:3364980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于生产化合物半导体光电器件的MOCVD(金属有机化学气相沉 淀)反应腔中对于反应气体控制的装置,特别涉及一种能够适用于大尺寸、多基片的MOCVD 反应腔、对反应气体输送与均勻分布控制的装置。背景技术金属有机化学气相沉淀系统(以下简称M0CVD)是用于生产半导体光电器件的最 核心设备。在金属有机化学气相沉淀(MOCVD)过程中,反应气体从气源被引入反应腔,使放 置在反应腔内的外延片上外延生长形成晶格结构薄膜。为了有效控制上述外延生长的高温化学...
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