技术编号:3365069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于生产化合物半导体光电器件的MOCVD(金属有机化学气相沉 淀)系统及其控制方法,特别涉及其中用于控制外延片温度及均勻性的装置与方法。背景技术金属有机化学气相沉淀(以下简称M0CVD),是在外延片上通过沉积一层或持续 沉积多层外延晶格结构薄膜,以形成如发光二极管(LED)等半导体器件的过程。所述器件 如波长(颜色)、亮度和前置电压的正态分布的性能和良品率,直接由外延片(或称衬底 基片)上各层外延薄膜的质量、厚度与材料组成的均勻性决定;而该外...
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