技术编号:3365084
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途,尤其涉及一种Sb2Te3-HfO2纳米复合相变材料及其在相变存储器中的用途。背景技术相变存储器(C-RAM)是一种新兴的半导体存储器,与目前已有的多种半导体存储技术相比,包括常规的易失性技术,如静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)等, 和非易失性技术,如介电随机存储器(FeRAM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、闪速存储器(FLASH)等,具有非易失性、循环寿命...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。