技术编号：3365161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种化学机械研磨方法和研磨设备。 背景技CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)技术兼具有研磨性物质的机械式研磨与酸碱溶液的化学式研磨两种作用，可以使半导体晶片表面达到全面性的平坦， 以利于后续工艺的进行。在CMP制程所使用的设备中，研磨头被用来将半导体晶片压在研磨垫上并带动半导体晶片旋转，研磨垫以与半导体晶片旋转的方向相反的方向旋转，在进行研磨时，研浆供给臂将由研磨颗粒所构成的研...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。