技术编号:3365684
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,更具体地说,是一 种具有等离子体源辅助的反应磁控溅射装置及方法,属于半导体薄膜材料。背景技术多晶硅薄膜作为一种新材料,已广泛应用于薄膜晶体管(TFT)显示、半 导体存储、太阳能等领域。多晶硅薄膜由于其较高的电子迁移率和较稳定的光 学性能越来越受到人们的关注。多晶硅薄膜在长波段具有光敏性,能有效吸收可 见光而且有光照稳定性,不像a-Si H有光退化(SW)效应,故多晶硅薄膜可以作 为更高效、更稳定的光伏薄膜材料。同时,多晶硅薄膜的迁移率可以达...
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