技术编号：33659886
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及镀膜设备技术领域，尤其涉及一种基板处理腔室和真空镀膜设备。背景技术.等离子体增强化学气相沉积(pecvd)腔室用于处理基板，诸如太阳能基板、显示器基板和半导体基板。pecvd一般包括将前驱物气体引入真空腔室中，在该真空腔室中，基板放置在基板支撑件上。前驱物气体通过典型地安置在腔室的顶部附近的气体分配板被引入真空腔室中，并且由施加到气体分配板的射频(rf)功率激励以在气体分配板与基板支撑件之间产生等离子体。载有基板的托盘放在基板支撑件上，基板支撑件通过多个金属接地带与腔室主体连...
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