技术编号:3366034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体,特别涉及一种等离子体反应腔室及其部件的制造方法、等离子体增强化学气相沉积设备和在该设备内处理基片的方法。背景技术等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备广泛用于半导体器件、太阳能电池制作工艺中,尤其用于沉积各种薄膜,例如氮化硅薄膜、透明导电薄膜等。在晶体硅太阳能电池制作工艺中,可以用等离子体增强化学气相沉积设备沉积减反射氮化硅膜,尤其是在大面积晶体硅太阳能电池的制作工艺中,PECVD设备应用更加广泛。图1为常用的一种PECVD设备结构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。