技术编号:3366041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制造工艺,尤其涉及一种低压淀积氧化硅工艺 方法。背景技术通常,制造半导体器件的方法主要包括生成薄膜和在薄膜上形成图案。用于制 造半导体器件的薄膜根据需要可分为绝缘薄膜、电介质薄膜、导电薄膜、平面薄膜和钝 化薄膜等。淀积薄膜的方法有物理淀积、真空淀积、化学气相淀积(CVD)和溅射淀积 等。其中,化学气相淀积是最常用的方法。化学气相淀积方法生成薄膜,就是在基片上形成材料气体,基片上或气体中产 生的粒子散布在基片的表面,原子经历迁移和膜形成化...
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