技术编号:3366304
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体材料制备领域,具体涉及一种MgZnO薄膜的制备方法及其应用。背景技术目前MgaiO(MZO)薄膜作为一种新兴的光电材料,由于原料易得,价格低廉,无毒环保,而且可见透过率高,成膜简单,性能稳定,具有广阔的应用前景,引起了人们的浓厚兴趣。通过调节Mg/Zn比可使其禁带宽度从3.2 7.8eV连续可调,从而可以制得覆盖从蓝光到紫外广谱区域的发光器件。采用磁控溅射方法制备MZO薄膜,具有沉积速率高、衬底温度相对较低、薄膜附着性好、易控制并能实现大面...
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