技术编号：3366470
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用真空蒸发法制备ZnS/SnS双层薄膜的方法，属太阳能电池无机薄膜 元件制备工艺。背景技术提高转换效率和降低成本是光伏产业所面临的主要问题，薄膜太阳能电池与单晶 多晶硅太阳能电池相比，其优势在于制造成本更低，制备过程更为简单其且多样化。II-VI 族化合物半导体SnS，晶格结构为a=4. 329 ，b=ll. 193 ，c=3. 980 ，Sn和S原子通过范德 华力联系在一起。由于其天然无毒且在可见光范围的优良的带隙宽度(间接带隙1.0-1...
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