技术编号:3366940
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种卡盘和半导体处理装置。 背景技术随着半导体制备工艺的不断发展,等离子装置特别是电感耦合等离子体(ICP)装置被广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。,等离子装置一般采用真空反应腔室将材料刻蚀(Etch)或化学气相沉积(CVD)在晶圆表面。在此过程中,通过机械夹持装置或静电卡盘(ESC)将晶圆固定真空反应腔内特定的工位上;被刻蚀或沉积工艺气体通过管路输送到真空反应腔室之中,同时真空反应腔室中(RF)射频场将工艺...
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