技术编号:3367122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更具体而言,本发明涉及一种化学气相沉积装置以及利用它的化学气相沉积方法,该化学气相沉积装置具有在所述化学气相沉积装置的反应室顶部上的等离子体发生器,以将工艺反应气体分解成自由基并将所述工艺反应气体通过喷头供给到反应室内。背景技术在半导体工艺中,将期望材料沉积到晶片上的薄膜沉积工艺通常分为物理气相沉积(PVD)法和化学气相沉积(CVD)法。在此处,CVD法是向反应室供给工艺气体并通过利用热或等离子体将化学反应后的工艺气体沉积到晶片上的方法。同时,...
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