技术编号:3367209
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造技术,特别涉及一种。技术背景在金属栅电极工艺中,现有技术中一般采用氧化硅作为硅衬底和高介电常数绝缘材料之间的界面层,该氧化硅层一般在高温炉管中氧化而成。研究发现,将氮氧化硅作为硅衬底和高介电常数绝缘材料之间的界面层,其效果更优于氧化硅层,原因在于为了控制短沟道效应,更小尺寸器件要求进一步提高栅电极电容,而同样情况下氮氧化硅层与氧化硅层相比,其等效氧化物厚度(EOT)更小,这一点恰好能够提高栅电极电容。但是根据现有技术在氧化硅中掺氮形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。