技术编号：3367396
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，尤其是涉及一种进气装置和具有该进气装置的等离子体化学气相沉积设备。背景技术真空环境下，大面积进气均勻性是等离子体化学气相沉积(PECVD)的关键技术之一，例如，工艺气体到达反应腔室后，气体的均勻性直接关系到沉积到硅片上的膜厚度，进而影响整板硅片的均勻性。图6示出了一种现有的进气结构，气体由腔室法兰进入气体分配件1’，通过气体分配管2’均分成四路，再由分配管2’出来后被气体挡块3’阻挡向四周运动，通过勻流板 4’的密布气孔，进入到反应腔，形...
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