技术编号:3367723
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子器件用基体材料制备,特别是提供了一种制备电子器件 用硅基金刚石膜复合基片的方法。背景技术CVD金刚石膜具有优异的性能,在机械、热学、光学、声学、电子学及半导体等领 域具有广阔的应用前景,其中最引人注目的是在半导体方面的应用。金刚石具有带隙宽 (5. kV)、载流子迁移率高、介电常数低(5. 7)、抗辐射性强、击穿场强高(3.5X106V/cm)和 电子饱和速度高O.5X107cm/s)等特征,这使得用金刚石有可能制成高频大功率半导体器 件,在...
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