技术编号：3368273
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于发蓝光器件的晶体薄膜及其制备方法。背景技术 ZnO是六角纤锌矿结构、直接宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.3eV，其激子束缚能高达60meV，在紫外及蓝光发光器件和探测器方面具有很广阔的应用前景和市场潜力。然而要实现ZnO基光电功能器件的应用，除要求晶体质量良好，还必须实现其能带可调。由于CdO本身不能作为发光材料方面的应用，而且含CdO过高的Zn1-xCdxO薄膜，会使薄膜中的缺陷载流子浓度较高，甚至达到1019/cm3数量级，普遍认为不利...
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