技术编号:33684130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及基于半导体设备的耐腐蚀气体喷嘴组件领域,特别涉及基于半导体设备的耐腐蚀气体喷嘴组件。背景技术.离子注入是半导体制造工艺中常用的离子掺杂工艺,所注入的离子通常由离子发生装置产生。离子发生装置通常包括电弧室、气源、管路以及喷嘴,其中,喷嘴与电弧室的内部连通,气源通过管路与喷嘴连通,气源的气体经管路及喷嘴进入电弧室,电弧室将进入电弧室的气体电离后输出,从而为半导体制造提供离子,喷嘴往往用于特殊气体,喷嘴是具备耐腐蚀性能的。.现有技术中用于半导体设备的喷嘴一般为固定安装,固定后需要...
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