技术编号:3368907
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种配置气体离子源的对靶磁控溅射装置,属于真空溅射或离子 注入进行镀膜的。背景技术磁控溅射装置用于在基体上镀制膜层。基体和溅射靶安装于真空室内,在低气压 的辉光放电中,作为阴极的靶板被溅射,溅射原子沉积在基体上形成薄膜。其特点是在溅射 装置的靶表面引入与靶面平行并与电场正交的磁场,在靶面附近形成电子陷阱区,增大气 体的电离密度,以达到在低气压、低电压和较低的基片温度下沉积薄膜。该设备的关键部位 是阴极溅射靶。在现有的磁控溅射领域,磁控溅射装置...
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