技术编号：3369259
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明与在绝缘基板上沉积锰铜薄膜的方法有关，尤其与压力传感器上的低电阻温度系数锰铜薄膜力精密电阻薄膜的制备方法有关。锰铜是一种三元合金材料，主要成份为锰10∽15％，镍0∽4％，其余为铜及微量的铁、硅等杂质。该材料是一种广泛使用的精密电阻合金材料，其电阻温度系统小于±10×10-6/℃。但该材料目前仅以锰铜丝或锰钢片的形式生产，随着电子元器件的小型化，需要研制相应的精密合金薄膜材料。另一方面，锰铜合金也是一种压阻材料，用其制作的传感器主要用于测试1万个大气...
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