技术编号:3371228
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及金属淀积腔,尤其涉及一种金属淀积腔的保护遮罩。 背景技术金属化是芯片制造过程中在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜以及随后刻印图形以 便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜是在金属淀积腔中完成的,如图1所示,金属淀 积腔包括可升降的支撑架(lift hoop) 11、加热台(heater) 12、卡环(clamp ring) 13和保 护遮罩14 ;所述保护遮罩14的底端有一圆孔,所述卡环13设置在该圆孔的圆周上。参...
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