技术编号:33712799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种光电子弛豫型薄膜晶体管。背景技术.以非晶氧化铟镓锌(a-igzo)为代表的非晶金属氧化物薄膜晶体管(薄膜晶体管)因其较高迁移率、低制备温度、可大面积制备、透明度高和产线兼容等优点,已成功地应用在新型平板显示的驱动背板上。但是迁移率和光照偏压稳定性一直是产业界急需解决的问题。发明内容.针对目前的金属氧化物薄膜晶体管存在的迁移率低以及光照偏压稳定性差等技术问题,本发明的目的在于提供一种光电子弛豫型薄膜晶体管。.本发明实施例包括一种光电子弛豫型薄膜晶体管,...
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