技术编号：33713557
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于晶体管技术领域，尤其涉及一种氮化镓器件的缺陷参数测量方法、装置及介质。背景技术.氮化镓(gan)器件不仅具有gan材料禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和漂移速度高、耐高温、抗辐射以及化学稳定性良好等优异特性，同时gan材料可以与铝镓氮(algan)等材料形成具有高浓度和高迁移率的二维电子气(two-dimensional electron gas，deg)沟道，因此氮化镓器件适合应用在高压、大功率以及高温等场景中。.然而，目前氮化镓器件仍然面临着可靠性问题的挑战，例如，氮化...
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