技术编号：33727090
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体光刻技术领域，特别涉及一种用于在蓝宝石衬底上形成亚微米图案的双光刻胶互补光刻的方法。背景技术.蓝宝石衬底是在发光二极管（led）中外延生长gan层的优良材料，因为它们的.ev的大带隙可避免发射光的吸收，以及它们在金属有机化学气相沉积生长过程中在高温和腐蚀环境下的高化学稳定性。需要在蓝宝石表面上进行表面图案化以进一步提高光提取效率。蓝宝石表面上的图案可以破坏全反射并提高外部量子效率，以在相同的输入功率下实现更高的流明输出。已有的几种对蓝宝石衬底（pss）进行图案化的方法，...
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