技术编号:3372839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中一种多区金属有机物 化学气相沉积设备用水冷夹层。背景技术MOCVD是适合生长半导体照明用LED材料外延片的良好技术。也是一种工业化的 经济实用技术,其生长原理是在一块加热适当温度的衬底上,含有III族和V族元素的气态 化合物有控制的输送到衬底表面,生长出有特定组分、特定厚度、特定电学和光学参数的薄 膜沉积材料。在水平式金属有机物化学气相沉积设备中III族和V族气体需要在到达反应室 后才可以混合。而且两...
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