技术编号：3373422
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于化学机械研磨半导体晶圆的终点检测，更明确地说，发明是关于化学机械研磨制程的过度研磨(over-polish)的时间控制。背景技术 在半导体工业中，化学机械研磨(CMP)是用以藉由对着一研磨垫旋转一半导体晶圆，而选择地自该晶圆去除部分的薄膜。薄膜的过度研磨(去除太多)或不够研磨(去除太少)将导致晶圆的刮伤或重作，这将造成很昂贵的成本。因此，在本技术中，有必要在线上直接监视CMP制程并精确地决定总研磨时间。其中一种方法为采用了一终点检测(EPD)系...
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